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三相逆变

SiC、GaN、Si功率芯片直接嵌入PCB板，实现系统高密度集成、性能跃升和定制化设计。嵌入式封装通过将栅极驱动与功率芯片紧邻并结合单板设计，实现低电感栅极回路、高速开关特性及信号振荡最小化。

优势：
• 寄生电感低、散热路径短。
• 开关损耗小、热阻更低。
• 尺寸减小、成本更低。
• 寿命较传统封装提升数倍。

¥ 0.00

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PFC

SiC、GaN、Si功率芯片直接嵌入PCB板，实现系统高密度集成、性能跃升和定制化设计。嵌入式封装通过将栅极驱动与功率芯片紧邻并结合单板设计，实现低电感栅极回路、高速开关特性及信号振荡最小化。

优势：
• 寄生电感低、散热路径短。
• 开关损耗小、热阻更低。
• 尺寸减小、成本更低。
• 寿命较传统封装提升数倍。

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LLC

SiC、GaN、Si功率芯片直接嵌入PCB板，实现系统高密度集成、性能跃升和定制化设计。嵌入式封装通过将栅极驱动与功率芯片紧邻并结合单板设计，实现低电感栅极回路、高速开关特性及信号振荡最小化。

优势：
• 寄生电感低、散热路径短。
• 开关损耗小、热阻更低。
• 尺寸减小、成本更低。
• 寿命较传统封装提升数倍。

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