行业需求

 

 

储能系统面临高压、高频以及高效能的需求。相比传统IGBT，SiC MOSFET导通电阻与开关损耗更低，能量转换效率更高；高温性能更优，能减少散热需求，降低系统体积重量；支持高开关频率，助力系统小型轻量化；击穿电压高，在高压应用中更可靠 。